ダイア 5mm メタルエンカプスレーション LDR 光電阻光センサー ダークレスタンス 0.2-20 MOhm
仕様
単位:mm
| ポイント | タイプ | マックス・電圧 (VDC) |
権力 の 消耗 (mw) |
環境温度 (°C) |
スペクトル応答ピーク (nm) | 光抵抗性 (10Lux) KΩ |
暗黒の抵抗 MΩ |
γ | 応答時間 (ms) |
照明 |
|
| 増加 | 減少 | ||||||||||
|
φ6 について5 |
GM5510 | 100 | 100 | -30~+70 | 550 | 5〜10 | 0.2 | 0.6 | 30 | 30 | 2 |
| GM5515 | 100 | 100 | -30~+70 | 550 | 10〜20 | 1 | 0.7 | 30 | 30 | 3 | |
| GM5525 | 100 | 100 | -30~+70 | 550 | 30〜50 | 10 | 0.75 | 30 | 30 | 4 | |
| GM5558 | 100 | 100 | -30~+70 | 550 | 50〜100 | 20 | 0.85 | 30 | 30 | 4 | |
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主要特徴曲線
LDR の 仕組み
複雑な説明を深めずに LDR の仕組みの基礎を理解するのは比較的簡単です材料内の電子の動きからなる. 電子は,電流の流れによって,. 良い電導体は,電位差の作用下,ある方向に漂流する多くの自由電子を有する. 高い抵抗を持つ隔熱器には,非常に少ない自由電子がある.そして,それゆえ,それらを移動させるのは困難です そして,したがって,流れを流れ.
LDRまたは光電阻は高抵抗性のある半導体材料で作られています非常に少ない電子が自由で移動できるからです 電子の大部分は結晶格子に閉じ込められ 移動できませんこの状態では,LDR抵抗が高くなります.
光が半導体に落ちると 光の光子は半導体格子に吸収され エネルギーの一部が電子に移されます結晶格子から解き放たれるのに十分なエネルギーを与えますこの結果,半導体の抵抗が低下し,その結果全体的なLDR抵抗が低下します.
このプロセスは漸進的なもので,LDR半導体に光が照らされるほど,電気を伝導するためにより多くの電子が放出され,抵抗はさらに低下します.
適用する
カメラの自動光測定
光電制御
室内照射制御
告知者
産業管理
ライト制御スイッチ
照明制御ランプ
電子玩具
記述
LDRは,光の強度の変化を検出するために使用される小さな装置です.
抵抗は,その上に落ちる光の強さに左右されます.
完全に暗くても 抵抗は10メガオムで 明るい光では数オムに減ります
LDRは半導体がカドミウム硫化物であるため,CdS細胞と呼ばれています.
光感受性の高い領域は 銀,アンチモン,インディウムなどの不純物で 染められています
半導体材料に光が落ちると,電子穴対の流れが起こり,電気伝導性が起こります
構造的には,LDRは透明なケースに囲まれた薄いジグザグ形半導体線を持っています.
LDRは非常に高い電流に対応し,ACでさえデバイスを傷つけずに通過します.
半導体の両端から 2つの電線が発生しています
LDRは3mm,5mm,7mm,10mm,11mm,12mm,20mm,25mmなどサイズで提供されています
